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天津市(和平区、河东区、河西区、南开区、河北区、红桥区、塘沽区、东丽区、西青区、)








石家庄市(桥东区、长安区、裕华区、桥西区、新华区。)








保定市(莲池区、竞秀区)  廊坊市(安次区、广阳区,固安)








太原市(迎泽区,万柏林区,杏花岭区,小店区,尖草坪区。)








大同市(城区、南郊区、新荣区)








榆林市(榆阳区,横山区)朝阳市(双塔区、龙城区)








南京市(鼓楼区、玄武区、建邺区、秦淮区、栖霞区、雨花台区、浦口区、区、江宁区、溧水区、高淳区)  成都市(锡山区,惠山区,新区,滨湖区,北塘区,南长区,崇安区。)








常州市(天宁区、钟楼区、新北区、武进区)








苏州市(吴中区、相城区、姑苏区(原平江区、沧浪区、金阊区)、工业园区、高新区(虎丘区)、吴江区,原吴江市)








常熟市(方塔管理区、虹桥管理区、琴湖管理区、兴福管理区、谢桥管理区、大义管理区、莫城管理区。)宿迁(宿豫区、宿城区、湖滨新区、洋河新区。)








徐州(云龙区,鼓楼区,金山桥,泉山区,铜山区。)








南通市(崇川区,港闸区,开发区,海门区,海安市。)








昆山市 (玉山镇、巴城镇、周市镇、陆家镇、花桥镇(花桥经济开发区)、张浦镇、千灯镇。)








太仓市(城厢镇、金浪镇、沙溪镇、璜泾镇、浏河镇、浏家港镇;)








镇江市 (京口区、润州区、丹徒区。)








张家港市(杨舍镇,塘桥镇,金港镇,锦丰镇,乐余镇,凤凰镇,南丰镇,大新镇)








扬州市(广陵区、邗江区、江都区.宝应县)








宁波市(海曙区、江东区、江北区、北仑区、镇海区,慈溪,余姚 )








温州市(鹿城区、龙湾区、瓯海区、洞头区)








嘉兴市(南湖区、秀洲区,桐乡。)








绍兴市(越城区、柯桥区、上虞区)








金华市(金东区,义乌)








舟山市(定海区、普陀区)








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湖州市 (吴兴区,织里,南浔区)








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12月20日消息,据Cnews报导,俄罗斯已公布自主研发的光刻机路线图,目标是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源,而非ASML 使用的标准13.5nm波长。因此,新技术无法与现有EUV 基础设施相容,需要俄罗斯自行开发配套的曝光生态系统,可能需要数年甚至十年以上时间。

该光刻机开发计划由俄罗斯科学院微观结构物理研究所的Nikolay Chkhalo 领导,目标是制造出性能具竞争力且具成本优势的光刻机。具体来说,俄罗斯将采用11.2nm的氙(xenon)基镭射光源,取代ASML 的基于激光轰击金属锡(tin)液滴产生EUV光源的系统。Chkhalo 表示,11.2nm的波长能将分辨率提升约20%,不仅可以简化设计并降低光学元件的成本,还能呈现更精细的细节。此外,该设计可减少光学元件的污染,延长收集器和保护膜等关键零件的寿命。

俄罗斯曝光机还可使用硅基光阻剂,预期在较短波长下将具备更出色的性能表现。尽管该光刻机的晶圆制造产能仅为ASML 设备的37%,主要因为其光源功率仅3.6 千瓦,但也足以应付小规模芯片生产需求。

尽管11.2nm波长仍属于极端紫外线光(EUV)谱范畴,但这并非单纯的小幅调整。因为所有光学元件包括反射镜、涂层、光罩设计以及光阻剂,都需要针对新的波长进行特别设计与优化。因此,镭射光源、光阻化学、污染控制及其他支援技术也须重新设计,才能确保在11.2nm波长下的有效运作。

以11.2nm波长为基础的工具很难直接兼容现有以13.5nm为基础EUV 架构与生态系统,甚至连电子设计自动化(EDA)工具也需要进行更新。虽然现有EDA 工具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本步骤,但涉及曝光的关键制程,如光罩资料准备、光学邻近校正(OPC)和解析度增强技术(RET),则需要重新校准或升级为适合11.2nm的新制程模型。

据报导,该光刻机的开发工作将分为三个阶段,第一阶段将聚焦于基础研究、关键技术辨识与初步元件测试;第二阶段将制造每小时可处理60 片200 毫米晶圆的原型机,并整合至国内芯片生产线;第三阶段的目标是打造一套可供工厂使用的系统,每小时可处理60 片300 毫米晶圆。目前还不清楚这些新的曝光工具将支援哪些制程技术,路线图也未提到各阶段完成的时间表。

编辑:芯智讯-林子

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