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2024半导体十大新闻回顾

国内新闻

1、中国芯片出口额再破万亿 

2、中国半导体强劲复苏,上市公司盈利能力攀升

3、中芯国际首次升至全球第三大晶圆代工厂

4、国家大基金三期成立,注册资本达3440亿元

5、美国商务部将140家中国半导体企业列入实体清单

6、中国光速反击美芯片制裁 四大协会发声呼吁谨慎采购

7、中国政府对英伟达、英特尔启动调查审查

8、半导体行业重组加速,并购/裁员/倒闭潮涌现

9、赴港上市成为半导体企业资本化第二通道

10、欧美半导体企业纷纷加码“中国制造”

国际新闻

1、美国超过中国成为全球最大半导体市场

2、AI引发算力竞赛,谷歌、微软等企业加码自研芯片

3、英伟达破三万亿市值 博通破万亿

4、存储市场大涨,主要受AI需求拉动

5、英特尔CEO基辛格辞职

6、外企裁员频频涌现

7、《芯片法案》确认补贴台积电、三星、英特尔、SK海力士等多家半导体巨头

9、AI手机、AI PC迎来发展元年

10、ASML High NA EUV 光刻机交付

(天天IC)

国务院国资委:聚焦航空航天、集成电路、工业母机、生物技术等领域迫切需求 扎实推进重大技术装备攻关工程

《求是》杂志刊发国务院国资委党委署名文章《进一步深化国资国企改革为中国式现代化提供坚实战略支撑》。文章指出,国有企业在我国产业链供应链体系中具有举足轻重的地位,必须切实扛起维护产业安全责任,紧紧围绕解决我国产业体系中的卡点、堵点、断点问题,不断增强支撑保障能力。

要深入落实制造业重点产业链高质量发展行动,聚焦航空航天、集成电路、工业母机、生物技术等领域迫切需求,扎实推进重大技术装备攻关工程,强化行业共性技术协同攻关,从源头和底层解决我国产业体系“缺基少核”问题。加大战略性能源资源勘探开发投入,加快“沙戈荒”新能源基地等重点项目建设,推进重点矿种投产扩能,扩大我国能源资源安全战略纵深,更好助力提升产业链供应链韧性和安全水平。(芯榜)

企业动态

1640亿!大基金三期首次出手

1月2日,国家集成电路产业投资基金三期(下称,国家大基金三期)发生两项对外投资,共计1640亿元(人民币,下同),这也是大基金三期的首次投资。被投资的两家基金分别为华芯鼎新(北京)股权投资基金(有限合伙)和国投集新(北京)股权投资基金(有限合伙),两家基金均成立于2024年12月31日。

华芯鼎新(北京)股权投资基金(有限合伙)成立,注册资本930.93亿元,由国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司、华芯投资管理有限责任公司分别投资930亿元和9300万元。经营范围是以私募基金从事股权投资、投资管理、资产管理等活动(须在中国证券投资基金业协会完成登记备案后方可从事经营活动)。

华芯鼎新股权投资基金实际控制人或为华芯投资管理有限责任公司,吴亮东是该公司法定代表人、董事长,疑为受益所有人。

国投集新基金的注册资本710.71亿元,由大基金三期和国投创业(北京)私募基金管理有限公司(实控人)分别投资710亿元和7100万元,占比99.9%及0.1%。而国投创业(北京)则由国投创业和北京亦庄国际投资发展有限公司分别持股65%和35%。

公开资料显示,大基金三期于2024年5月24日成立,超预期注资规模3440亿元。大基金三期由19位股东共同持股。其中最大股东为财政部,持股17.4419%。其次是国开金融有限责任公司、上海国盛(集团)有限公司,持股比例分别为10.4651%、8.7209%。另外,包括工商银行(6.710, -0.09, -1.32%)等国有六大行也首次参与了大基金,出资合计1140亿元。(天天IC)

台积电硅光,取得重要进展

据《经济日报》报道,台积电硅光战略取得重大进展,近期实现共封装光学元件(CPO)与先进半导体封装技术的整合,预计2025年初开始样品交付,此里程碑将使台积电在2025年下半年迎来1.6T光传输时代。业界预期,博通和NVIDIA将成为台积电该解决方案的首批客户。

硅光子时代可能最早在2025年到来。据报道,台积电与博通合作,利用其3nm工艺成功试制了一项关键的CPO技术——微环调制器(MRM)。这一进展为将CPO与高性能计算(HPC)或用于AI应用的ASIC芯片集成铺平了道路,实现了计算任务从电信号传输到光信号的重大飞跃。

报告还强调了CPO模块生产中的挑战。由于封装工艺复杂,良率较低,台积电未来可能会将部分光学引擎(OE)封装订单外包给其他先进封装供应商。

报告中引用的行业分析师指出,台积电对硅光子的愿景围绕着将 CPO 模块与 CoWoS 或 SoIC 等先进封装技术相结合。这种方法消除了传统铜互连的速度限制。台积电预计将于 2025 年开始样品交付,1.6T 产品将于下半年进入量产,并于 2026 年扩大出货量。

《经济日报》还引述业界消息指出,NVIDIA 计划从 2025 年下半年推出的 GB300 芯片开始采用 CPO 技术,随后推出的 Rubin 架构也将采用该技术,旨在突破目前 NVLink 72 互连(最多可连接 72 个 GB200 芯片)的限制,提升通信质量,缓解 HPC 应用中的信号干扰和过热问题。(半导体行业观察)

传英伟达完成Blackwell GPU B300流片

据SemiAnalysis报道,英伟达已经完成升级版Blackwell GPU,即B300芯片的流片,并透露了改进版的Grace-Blackwell组件,即GB300。

报告指出,B300设计目标与B100和B200使用的相同,即台积电的4NP 4nm标称制造工艺。然而,对设计的调整使得其FLOPS性能比B200高出多达50%。B300 GPU还使用12层HBM3E DRAM,使得每块GPU的内存容量增加到288GB,尽管内存带宽仍保持在每块GPU 8TB/s。

英伟达于2024年3月推出B100、B200 Blackwell GPUs和GB200组件,后者配备一个基于ARM的CPU加上两个GPU。原始Blackwell部件的推出因服务器机架中GPU过热而蒙上阴影。

然而,机架的设置、液冷的使用,内部热监控以及性能管理技术都很复杂,需要超大规模客户和机架供应商进行大量配置和迭代的工作。

SemiAnalysis表示,B300系列Blackwell部件的热设计预算增加到每CPU 1.2kW——相比之下B200 为1kW,并且具有更大的内存容量,非常适合推理应用。

制造芯片的前沿晶圆通常在生产线上花费约三个月的时间,加上晶圆级测试、封装和组件测试的时间,通常决定了从流片到芯片发货的最低周期为六个月。

据SemiAnalysis称,B300在封装上与B200/GB200有一些不同。据报道,英伟达将仅提高“SXM Puck”模块上的B300和BGA封装中的Grace CPU,让客户在计算板上采购更多组件。推荐的主机管理控制器 (HMC) 来自初创公司 Axiado,第二层内存是LPCAMM模块,可能来自美光。(集微网)

(转自:SIP集成电路)

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