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上海港湾1月7日快速上涨
市调机构TrendForce发布报告纸今年下半年全球存储芯片价格再次大跌，最高跌幅达到四成，快回到2022年的水平，这让美日韩的存储芯片企业大为恐慌，担忧存储芯片业务再次陷入巨亏。
价格跌幅最大的当属DDR4内存，跌幅达到四成，此前就有报道指随着国产内存芯片产能提升，中国存储芯片再次发起攻势，DDR4内存价格大幅降价抢占市场，给美日韩存储芯片企业造成巨大的冲击。
至于目前逐渐获得市场的接受DDR5内存价格也在下跌，最高跌幅大约为两成，这方面主要是因为中国的DDR5内存产量还较少，暂时还无法大举抢占市场。
面对中国存储芯片企业的抢市，美日韩的存储芯片企业已出现DDR4内存的巨额库存，为此他们已逐渐缩减DDR4的产能，而转向生产DDR5内存，确保利润，避免与中国存储芯片企业直接竞争。
中国存储芯片企业也正稳步提升DDR5内存的产能，或许中国存储芯片企业明年就能抢占更多DDR5内存市场，让美日韩存储芯片受到更大的冲击。
不过美日韩存储芯片还有一个底牌，那就是HBM存储芯片，这是由他们与NVIDIA联合制定的标准，目前HBM芯片主要由韩国的三星和SK海力士以及美国的美光生产，由于技术规格以及NVIDIA的指定，中国存储芯片暂时还难以生产HBM存储芯片。
这一幕曾在2022年上演，当时中国的NAND flash存储芯片首次量产当时最先进的232层芯片，由此中国芯片一举夺得存储芯片的技术优势，迅速降低了NAND flash存储芯片的价格，推动它的价格腰斩。
2023年上半年韩国的三星、SK海力士和美国的美光均出现收入大跌，甚至美光还曾出现巨额亏损，给他们造成了沉重打击。
这让全球芯片业界震惊，美国随后出手，阻止日本、荷兰的芯片设备和材料厂商给中国的存储芯片企业供应先进设备，甚至已投入生产的芯片设备在损坏后也不许ASML维护，导致中国的存储芯片技术发展陷入停滞。
2023年美日韩的存储芯片量产300层NAND flash，他们再次取得技术优势，加上他们本来就占有优势的市场份额，因此联合抬价，大举提高存储芯片的价格。关于操纵存储芯片价格，其实早有前例，2004年的时候三星就因操纵存储芯片价格被美国罚款。
美日韩的存储芯片联合提价让中国采购存储芯片付出了代价，据悉这一年时间中国采购存储芯片可能增加了900亿美元的支出，这也让美日韩的存储芯片企业利润大增。
如今中国的存储芯片企业依靠国产芯片设备解决生产技术问题，技术再次取得突破，追上了美日韩的存储芯片企业，技术和产能得到解决，再次以白菜价抢占市场，自然让美日韩的存储芯片企业惊慌，他们担忧存储芯片业务再次陷入亏损当中，而中国的存储芯片企业成本更低，承受得起价格战。
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